Infineon的IKY40N120CS6XKSA1是一款高性能的半导体IGBT，采用TRENCH/FS结构，适用于各种高电压和大电流应用场景。该器件具有1200V的额定电压，80A的额定电流，以及优异的热性能和可靠性。 技术特点： * 高压大电流设计，适用于各种高电压应用场景； * 优异的热性能和可靠性，适合长时间连续工作； * 快速开关性能，有助于提高系统效率； * 集成度高，减少了外部元器件数量，降低了成本。 应用方案： * 电动汽车充电桩：IKY40N120CS6XKSA1可以作为主功
标题：Infineon品牌IKW75N65EH5XKSA1半导体IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3的技术与方案介绍 Infineon品牌IKW75N65EH5XKSA1半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件，适用于各种电子设备，如变频器、电机驱动器、电源转换器等。该器件采用TO247-3封装，具有高耐压、大电流、低损耗等特点，适用于高功率、高电压的场合。 技术特点： 1. 采用Infineon独特的TRENCH技术，具有更低的导通电阻和栅极电阻，提高了器件的导通效率和
浅析目前国内 IGBT 市场上的“乱象”
2024-07-21业内人士表示，IGBT芯片的正常生产周期基本上是7-8周，而52周几乎是一年。因此，可能是IGBT芯片制造商真的缺货，或者是有意拖延。IGBT芯片制造商只是想利用超长的交货期让买方无法得到货物，因为一年后市场形势可能会发生变化，所以大多数制造商根本等不及一年。短缺是否真实难以确定，但国内IGBT市场的混乱值得关注。 购买外国制造商的模具不会转向中国。据笔者了解，长期以来，许多自称自行设计IGBT的国内制造商从其他公司购买模具，然后自行包装，用自己的标识出售，目前这种现象有扩大的趋势。业内人士表
标题：Infineon IGW75N60TFKSA1半导体IGBT TRENCH/FS 600V 150A TO247-3技术与应用方案介绍 一、技术概述 Infineon IGW75N60TFKSA1半导体IGBT是TRENCH/FS系列中的一款高性能产品，适用于各种电子设备，如电机驱动、电源转换器和变频器等。该器件采用TO247-3封装，具有高耐压、大电流和高效率等特点，适用于中压应用场景。 二、技术特点 1. 高耐压：600V的额定电压为设备提供了足够的功率储备。 2. 大电流：高达15
标题：Infineon品牌IKW40N65H5FKSA1半导体IGBT 650V 74A TO247-3技术详解与方案介绍 一、技术详解 Infineon品牌IKW40N65H5FKSA1半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件，其工作电压为650V，最大电流为74A。该器件采用TO247-3封装，具有高耐压、大电流、低损耗等特点，适用于各种高电压、大电流的电源和电机驱动系统。 该器件采用先进的沟槽技术，具有高饱和电压和低导通电阻，从而提高了工作频率和效率。同时，其自屏蔽功能可以有效地减少噪
标题：Infineon品牌IKW40N65F5FKSA1半导体IGBT 650V 74A 255W PG-TO247-3技术详解及应用方案 一、技术介绍 Infineon品牌IKW40N65F5FKSA1半导体IGBT是一款高性能的功率半导体器件，其工作电压为650V，最大电流为74A，最大功率为255W。该器件采用PG-TO247-3封装形式，具有高耐压、大电流、低损耗等特点。 二、应用方案 1. 电源系统：IKW40N65F5FKSA1适用于电源系统的开关模式，可有效降低电源的内部损耗，提
标题：Infineon品牌IKW30N65ES5XKSA1半导体IGBT TRENCH 650V 62A TO247-3技术详解与方案介绍 一、技术详解 Infineon品牌IKW30N65ES5XKSA1是一款高性能的半导体IGBT，采用TRENCH 650V技术，具有62A的额定电流和650V的额定电压。该器件具有高开关速度、低导通电阻和快速热响应等特点，适用于各种电力电子应用场景。 该器件采用TO247-3封装，具有高功率密度和良好的热导热性能。同时，该封装形式还提供了足够的空间，便于散
Infineon的IKW20N60TFKSA1是一款优秀的半导体IGBT，采用TRENCH/FS结构，适用于各种电子设备中。该器件具有出色的性能和可靠性，适用于各种应用场景，如电源转换、电机控制、变频器等。 IKW20N60TFKSA1的最大特点在于其出色的电气性能。该器件的栅极驱动电流低，开关损耗小，使得整个系统的效率更高。此外，该器件还具有较高的输入阻抗和热稳定性，能够适应各种恶劣的工作环境。 在方案应用方面，该器件适用于各种需要高效能、高稳定性和高可靠性的电源管理系统中。例如，在电动汽车
Infineon的IKP39N65ES5XKSA1是一款高性能的半导体IGBT，其具有650V 39A的规格，适用于各种高电压大电流的应用场景。该型号的IGBT采用了TO220-3的封装形式，具有紧凑的尺寸和良好的热性能，能够有效地降低系统成本和功耗。 技术特点： 1. 采用了先进的沟槽技术，大大降低了导通电阻，提高了开关速度和效率。 2. 采用了自屏蔽结构，降低了电磁干扰（EMI）的影响。 3. 采用了先进的热设计技术，具有优异的热稳定性。 4. 支持宽范围的工作电压和电流，能够适应各种恶劣