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特征 300伏VCEO 0.5安培连续电流 Ptot = 1瓦特 绝对最大额定值。 参数符号ZTX756ZTX757单元 集电极 - 基极电压VCBO -200-300 V. 集电极 - 发射极电压VCEO -200 -300 V. 发射极 - 基极电压VEBO -5 V. 峰值脉冲电流ICM -1 A. 连续集电极电流IC -0.5 A. Tamb时的功耗= 25°C Ptot 1 W. 操作和存储温度 范围 Tj：Tstg -55至+ 200°C 电气特性（除非另有说明，在Tamb = 2

ZXTP25040DFH 40VSOT23PNP中功率晶体管 摘要 BVCEO -40V BVECO -3V; IC（CONT）= -3A RCE（sat）= 55米; VCE（sat）-85mV @ 1A; PD = 1.25W 辅助部件号ZXTN25040DFH 描述 先进的工艺能力和包装设计已被用于 最大化这个小轮廓的功率处理和性能 晶体管。 该设备的紧凑尺寸和额定值使其成为理想选择 适用于空间有限的应用。 特征 高功耗SOT23封装 高峰值电流 饱和电压低 3V反向阻断电压 应用 MO