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标题:onsemi安森美FGH60T65SQD-F155芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美FGH60T65SQD-F155芯片IGBT是一款应用于工业电源和电动汽车等领域的650V/120A TO247-3封装的绝缘栅双极晶体管(IGBT)。该芯片凭借其高效、可靠和节能的特性,在业界赢得了广泛的赞誉。 首先,我们来了解一下IGBT的基本原理。IGBT是一种复合型功率半导体器件,它将场效应晶体管(FET)和双极型功率晶体管(BJT)的优点结合在一起,具有开关速度快、损耗小、耐压高、电
标题:onsemi安森美FGH50T65SQD-F155芯片IGBT技术与应用介绍 onsemi安森美FGH50T65SQD-F155芯片是一款采用先进的IGBT技术的高效能芯片,它广泛应用于电力电子领域。这款芯片的IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3规格,使其在功率转换和电源管理应用中具有出色的性能。 首先,我们来了解一下IGBT的特点。IGBT是一种绝缘栅双极型功率晶体管,具有开关速度快、通态电压低等优点。它广泛应用于各种电力电子设备中,如逆变器、变频器、电源等
标题:onsemi安森美AFGHL50T65SQ芯片:AEC 101认证,650V,50A FIE的技术与应用介绍 onsemi安森美是一家全球知名的半导体公司,其推出的AFGHL50T65SQ芯片是一款具有出色性能的电源管理芯片。这款芯片具有650V的耐压能力和高达50A的电流输出,使其在各种电源应用中具有广泛的应用前景。 AFGHL50T65SQ芯片采用了先进的工艺技术,具有低功耗、高效率和高可靠性等优点。它适用于各种电源系统,如电动汽车、太阳能和风能等可再生能源领域。此外,该芯片还适用于
标题:onsemi品牌FDMF3172芯片:HALF BRIDGE DRIVER 55A 39QFN技术与应用详解 onsemi品牌的FDMF3172芯片是一款HALF BRIDGE 55A 39QFN驱动芯片,其在电源管理领域具有广泛的应用前景。这款芯片以其卓越的性能、高效率、低噪声和易于集成等特点,成为了电源管理系统的理想选择。 首先,让我们了解一下HALF BRIDGE技术。HALF BRIDGE技术是一种直流转换技术,它可以将直流电压从低电压转换为高电压,或者从高电压转换为低电压。这种
标题:onsemi安森美FGY120T65SPD-F085芯片IGBT 650V 240A 882W TO-247技术与应用介绍 安森美FGY120T65SPD-F085芯片IGBT是一种重要的电子元件,其应用范围广泛,包括电力电子、通信、汽车等领域。本文将详细介绍FGY120T65SPD-F085芯片IGBT的技术特点和主要应用。 首先,FGY120T65SPD-F085芯片IGBT采用了先进的650V技术,能够承受高达240A的电流和882W的功率。这种高功率、高电流的特性使得FGY120
标题:onsemi安森美FGH40T120SMD-F155芯片IGBT 1200V 80A 555W TO247-3技术与应用介绍 onsemi安森美FGH40T120SMD-F155芯片是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极晶体管),适用于各种电源和电子设备。该芯片采用TO247-3封装,具有1200V的耐压和80A的电流容量,适用于555W的功率输出。 技术特点: * 高耐压、大电流IGBT芯片,适用于高功率应用场景; * 高速开关特性,有助于提高电路的效率; * 热稳定性高,能够承受高负载电
标题:onsemi安森美FGY160T65SPD-F085芯片:650V FS GEN3 TRENCH IGBT技术与应用详解 安森美半导体FGY160T65SPD-F085芯片是一款采用650V FS GEN3 TRENCH IGBT技术的产品,具有广泛的应用前景。这款芯片在工业、可再生能源和电动汽车等领域具有重要应用价值。 FGY160T65SPD-F085芯片的650V FS GEN3 TRENCH IGBT技术具有高效、高耐压、高频率等特性,适用于各种高功率、高电压的电子设备。该技术采
标题:onsemi安森美FGY75T120SQDN芯片IGBT 1200V 75A UFS技术及应用详解 onsemi安森美FGY75T120SQDN芯片是一款1200V 75A UFS的IGBT(绝缘栅双极晶体管),具有高效、可靠、节能等特点,广泛应用于电力电子、新能源、电动汽车等领域。 技术特点: 1. 高压大电流设计,适用于高压大电流应用场景; 2. 快速开关特性,具有高频率、低损耗的特点; 3. 良好的热稳定性,能够适应高温、高功率的工作环境; 4. 采用先进封装技术,具有高可靠性和耐
标题:onsemi安森美FGY60T120SQDN芯片IGBT 1200V 60A UFS技术与应用详解 onsemi安森美FGY60T120SQDN芯片是一款高性能的IGBT(绝缘栅双极晶体管),适用于各种电力电子应用,如逆变器、变频器、电机驱动等。该芯片采用1200V 60A UFS技术,具有高耐压、大电流、快速开关等特性,大大提高了系统的效率和可靠性。 技术特点: * 高耐压:1200V的电压规格,使得该芯片能够在更高的电压环境下工作,降低了对电路设计的要求,提高了系统的整体性能。 *
标题:onsemi安森美FGH75T65SQDNL4芯片:650V/75 FAST IGBT FSIII T的技术与应用介绍 onsemi安森美FGH75T65SQDNL4芯片是一款高性能的650V/75 FAST IGBT FSIII T,其独特的性能和应用领域在业界备受瞩目。 技术特点上,该芯片采用了安森美独有的FAST(快速)IGBT技术,使得芯片的开关速度大大提高,功耗和发热量显著降低。同时,FAST IGBT技术还具有高效率和卓越的动态性能,使其在各种电源应用中表现出色。此外,FSI