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  日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出业界首款用于高频RF和微波应用的表面贴装多层陶瓷片式电容器(MLCC)---VitramonVJ HIFREQ HT系列，其工作温度范围可以达到+200 C。对于通信基站和国防通信系统，Vishay 的VitramonVJ HIFREQ HT系列提供了四种紧凑型尺寸，都具有超高Q和低ESR。   对于暴露于+175°C或更高温度的高功率通信发射器和高频逆变器而言，设计师以前都不得不依赖仅限+150°C的MLCC。今天发

近日宣布推出两款新型高速氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)驱动器，进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合，可在激光雷达(LIDAR)以及5G射频(RF)包络追踪等速度关键应用中实现更高效、性能更高的设计。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的开关频率的同时提高效率，并可实现以往硅MOSFET无法实现的5倍更小尺寸解决方案。 凭借业内最佳的驱动速度以及1 ns的最小脉冲宽度，LMG1020 60-MHz低侧GaN驱动器可在工业LIDAR应用中使用高精度激光器。小型晶圆级芯片

集微网消息，移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo 今天推出全球功率最高的碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）RF晶体管--- QPD1025。QPD1025在65 V下运行1.8KW，提供出色的信号完整性和更大的范围，这对L频段航空电子应用来说至关重要。 Strategy Analytics公司的战略技术实践执行总监Asif Anwar表示，“Qorvo的QPD1025晶体管对市场来说是真正颠覆性的产品。提供与硅基LDMOS和硅双极器件相比，它不仅

据业内消息人士透露，IC封测厂正在被敦促增加东南亚的产能，尤其是BGA封装。 据台媒电子时报报道，消息人士称，许多国际芯片供应商，如AMD和英特尔，正在加强他们在中国台湾的供应链，同时采用所谓的“中国台湾+1”风险控制策略，即扩大他们在中国台湾以外的制造支持来源。除了“中国台湾+1”之外，还有国际公司正在采用的“中国大陆+1”战略来分散风险。 此前日月光便称，部分产线正在中国大陆以外例如越南建厂，相关工作持续进行中。预估未来日月光投控约25%的系统级封装产能将转移到中国大陆以外。另有客户要求在

4月20日，台积电在台积电年度股东大会上公布了2023年尖端工艺运营情况。其中，2nm、3nm晶圆工艺预计在2023年实现量产，并将在2024年贡献营收。此外，台积电还透露，N3E工艺将于今年下半年量产，并将用于苹果公司的iPhone和Mac中。 据悉，台积电在2nm工艺方面的研发进展顺利，目前已有很多客户表达了兴趣。而在3nm工艺方面，台积电表示将于今年供不应求，主要客户来自高性能运算和智能手机领域。公司将于Q3开始大量出货，今年全年有4~6%的营收贡献，比同期5nm工艺放量时还高。 4月1

随着科技的飞速发展，各行各业都在经历着前所未有的变革。作为行业领军者的Brightking，也面临着巨大的挑战和机遇。面对技术变革和市场激烈竞争，Brightking采取了一系列有效的应对策略，以确保其持续领先地位。 首先，Brightking积极拥抱新技术，不断进行技术研发和创新。在人工智能、大数据、云计算等新兴技术的推动下，Brightking紧跟潮流，将最新的科技成果应用到产品和服务中。这不仅提升了Brightking的产品质量，也为其提供了更广阔的市场空间。 其次，Brightking