根据供应链消息，中芯国际是中国最大的晶圆代工厂，目前拥有最新的14纳米FinFET工艺，接近完成研发。其试生产的产量已经可以达到95％。因此，从2019年开始批量生产的目标似乎并不遥远。

　　据了解，根据中芯国际最新财务报告，中芯国际最先进的工艺目前为28纳米。不过，根据2018年第一季度的财务报告，28纳米仅占其收入的3.2％。与联电，英特尔等较慢的先进工艺制造商相比，落后的一个世代以上，更不用说先进技术。台积电，格罗方德，三星等在工艺开发方面取得快速进展的公司已准备好进入落后三代以上的7纳米制程。

为了赶上这一差距，中芯国际不仅将在2017年底担任三星电子和台积电前高管梁孟松的联席首席执行官职务，而且主要希望以他过去的经验来指导中芯国际在开发14nm FinFET。此过程的进展将使中芯国际的14纳米FinFET工艺在2019年达到其量产目标。它还将在2018年初宣布将共同投资102.4亿美元与两大政府产业基金加速14纳米。以下先进的工艺研发和批量生产计划最终实现了每月35,000片的产量。如今，中芯国际的14纳米FinFET工艺达到了95％的良率，这相当于迈向目标的一大步。

 事实上，随着28-nm Poly / SiON工艺技术的成功大规模生产以及2018年2月采用28-nm High-K / Metal Gate（HKMG）工艺技术成功试制产品，试生产产量为高达98.在完成％后，与中国台湾铸造厂有着密切合作关系的厦门联信在28nm节点上快速成熟。这种消息是针对目前代表中国大陆代工厂商领导者的中芯国际，因为28nm HKMG工艺产量并没有如预期的那样好，过去14nm FinFET工艺不可能被打破， 亿配芯城 几乎可以放弃铸造厂的地位在大陆的领导者。今天，14纳米FinFET工艺技术取得突破性进展，矢量生产目标向前迈出了一步，中芯国际能够保持领先地位。

此外，除了内部和核心竞争外，中芯国际在14纳米FinFET工艺上的突破也象征着与国际一级晶圆代工厂商的距离更近。除了台积电，Globod和三星正积极部署7纳米工艺，产品将于2018年底前出现，其中包括联电和英特尔仍处于14纳米节点。特别是，英特尔有望在2019年之后使用14纳米制程。在这方面，一旦中芯国际的14纳米FinFET工艺在未来正式投入批量生产，中芯国际的产品有可能会在大陆市场生产，目前产品已经运往海外原始设备制造商。中芯国际将获得更多利润，但对于其他竞争对手而言，这可能不是太好消息。

　　据业内人士透露，虽然过去有大量资金，但他们计划从Grooved购买技术来加强SMIC 14nm FinFET工艺。然而，这一次，梁孟松等人领导的团队似乎在进一步拉动中芯国际的14纳米制造工艺方面发挥了作用。但有消息人士指出，这件事不能由梁孟松独自处理，而是梁孟松过去与台湾和韩国有关人员的努力的结果。因此，中心国际线已经达到了14纳米的成功研发阶段。在下一阶段，它必须看到14纳米工艺能给公司带来多大的收益。

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